Первая в СССР полупроводниковая интегральная микросхема была создана в ТРТИ
28 ДЕКАБРЯ 2011 | 14:34
28 ДЕКАБРЯ 2011 | 14:34
Создание полупроводниковых интегральных микросхем (вначале они назывались твердыми схемами) определило развитие электроники в ХХ веке. Совершенствование технологии микроэлектроники впоследствии позволило создать современные компьютеры, сложные бытовые приборы, микросистемные устройства, коммуникационные устройства и т. п.
Первая в мире интегральная схема на монолитном кусочке германия была разработана в 1959 году Д. Килби в США.
Работы по созданию интегральных схем велись и в СССР. В Отраслевой научно-исследовательской лаборатории при Таганрогском радиотехническом институте (ТРТИ) под руководством Л.Н. Колесова работы в этом направлении были начаты в 1958 году. В результате в 1961 году была создана первая в СССР полупроводниковая интегральная схема на основе германия. Отчет о данной разработке хранится в архиве ТТИ ЮФУ. Авторами разработки являются Л.Н.Колесов, В.Г.Адамчук, Д.А.Сеченов, Е.Б.Механцев, М.Ф.Пономарев, Г.М.Балим, К.А.Дедюлин, Ю.Ф.Блинов и другие сотрудники ТРТИ.
Разработка первой в СССР полупроводниковой интегральной микросхемы имела большой резонанс. В 1962 году на базе ТРТИ была проведена Первая всесоюзная конференция по микроминиатюризации аппаратуры, в которой приняли участие 530 ученых, инженеров и преподавателей вузов.
Впоследствии, осенью 1962 года, на Рижском заводе полупроводниковых приборов в СССР была также создана интегральная схема на основе германия и был начат ее серийный выпуск.
Заложенные основы и научная школа микроэлектроники в ТРТИ позволили в дальнейшем развить работы в области микроэлектроники, микросистемной техники и нанотехнологии.
В 2003 году приказом ректора Таганрогского государственного радиотехнического университета был создан научно-образовательный центр «Нанотехнологии». После образования Южного федерального университета (ЮФУ) центр был преобразован в НОЦ «Нанотехнологии» ЮФУ.
В настоящее время НОЦ «Нанотехнологии» ЮФУ является крупнейшим на юге России. На базе НОЦ успешно ведется подготовка инженеров, бакалавров, магистров, кандидатов и докторов наук в области нанотехнологии, выполняется большой объем фундаментальных и прикладных научно-исследовательских работ.